原子层沉积（ALD）技术
通过气相前驱体在基体表面进行化学反应，实现原子层级的薄膜沉积
优异的均匀性与致密性
相比传统蒸镀或 PVD 工艺，ALD 技术能在复杂表面形成厚度均一、无针孔的致密薄膜。
精准可控
薄膜厚度可在纳米级别精确调控（1nm-100nm），满足不同应用场景对阻隔性能的定制化需求。
高阻隔性能
ALD 工艺处理的水氧阻隔膜，其水汽透过率（WVTR）表现优异，可有效延长泛半导体器件的使用寿命。
思尔德 ALD 技术优势
思尔德采用先进的 ALD 技术，通过气相前驱体在基体表面进行化学反应，实现原子层级的薄膜沉积，为柔性光伏与泛半导体显示提供稳定可靠的封装保护。
